Ученые сделали важный шаг на пути к созданию памяти нового поколения

17 янв 2017 17:00 #51275 от ICT
Группа ученых из России, Японии, США и Германии впервые в мире обнаружила так называемый "скирмионный эффект Холла". Это открытие является важным шагом на пути к созданию более быстрой, дешевой, надежной, энергонезависимой электронной памяти. Статья, посвященная открытию, была опубликована в журнале Nature Physics , а краткое описание исследования приведено на сайте Дальневосточного федерального университета (ДВФУ). Как рассказал главный научный сотрудник Лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ Олег Третьяков, скирмионы (топологически нетривиальные конфигурации магнитного спина с вихреподобной структурой) могут стать основой будущих магнитных технологий памяти. Так, современные жесткие диски для хранения информации используют магнитные домены, чей минимальный физический размер уже достиг 100 нанометров. В свою очередь, скирмионы являются более стабильными структурами, размер которых может быть уменьшен до нескольких нанометров, что позволит использовать их для создания устройств хранения и обработки данных с более высокой плотностью. При этом память такого типа сможет сохранять информацию даже при отключении питания. В ходе экспериментов ученые выяснили, что скирмионы движутся под гораздо большим углом относительно приложенного тока, чем это предсказывалось первоначальной теорией. "Ранее было предсказано, что этот "скирмионный угол Холла" должен зависеть только от статических свойств скирмионов, таких как диаметр. В нашей работе мы нашли, что этот угол сильно зависит от скорости - поведение, которое не может быть объяснено с помощью стандартно используемых моделей. Поэтому мы разработали новую модель, учитывающую динамические изменения спиновой структуры скирмиона. Мы также показали возможность управления этим углом и необходимость учитывать динамические изменения траекторий скирмиона при проектировании будущих устройств наноэлектроники", - рассказал Третьяков. По словам ведущего научного сотрудника Лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ Александра Самардака, на основе скирмионов уже ведется разработка новых систем хранения и обработки данных. По сравнению с существующими решениями такие элементы памяти будут дешевле в производстве и смогут работать быстрее и надежнее, потребляя минимум энергии. В перспективе их можно будет использовать при производстве компьютеров, смартфонов и датчиков, способных долгое время работать без подзарядки. Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    Ученые из МФТИ сделали важный шаг на пути к созданию памяти нового типа43.76Понедельник, 11 апреля 2016
    Физики сделали еще один шаг на пути к созданию квантового компьютера19.79Четверг, 02 апреля 2015
    Ученые сделали новый шаг к созданию функционального квантового компьютера18.83Среда, 01 апреля 2015
    Вайфайные пути: современная техника мешает внедрению сетей нового поколения16.57Понедельник, 11 декабря 2023
    Американские власти профинансировали проект для армии по созданию "нового поколения паролей"16.23Пятница, 30 января 2015
    Samsung начала производство 512 ГБ памяти eUFS для мобильных устройств нового поколения16.14Вторник, 05 декабря 2017
    Российские ученые разработали сверхбыстрые ячейки памяти нового типа16.11Вторник, 15 марта 2016
    Samsung начала производство памяти Universal Flash Storage для автомобилей нового поколения15.97Вторник, 26 сентября 2017
    Ученые УрФУ работают над созданием чипов нового поколения15.96Среда, 29 марта 2017
    Samsung Electronics и SAP открыли исследовательский центр для разработки платформы вычислений в памяти нового поколения15.81Пятница, 30 сентября 2016

    Мы в соц. сетях