Новая технология позволит создать накопители для ноутбуков емкостью свыше 10 Тб

Global Look Press Американский производитель памяти Micron Technology объявил о прорыве в области конструирования и производства флеш-памяти типа 3D NAND, который позволит оснащать ноутбуки накопителями емкостью свыше 10 Тб, пишет CNews. Новая технология была разработана при участии инженеров из компании Intel. В ее основе лежит использование большого количества слоев ячеек, наложенных друг на друга. В ходе работы инженерам удалось расположить таким образом 32 слоя ячеек. Используя технологию хранения двух битов данных в одной ячейке, они получили чипы емкостью 32 Гб, а технология трех битов в ячейке повысила емкость носителя до 48 Гб. Во избежание потери качества и надежности работы памяти разработчики из Micron и Intel воспользовались ячейками с плавающим затвором. Такие ячейки получили распространение во флеш-памяти с планарной структурой и до этого ни разу не использовались в 3D NAND. Партнеры утверждают, что новая память достаточно надежна, чтобы ее можно было использовать в дата-центрах. "Двухмерная NAND-память близка к своей технологической границе, что становится вызовом для индустрии флеш-памяти. Перспективная технология 3D NAND позволит производителям чипов памяти продолжить следовать закону Мура, обеспечивая дальнейший рост производительности и сокращения издержек", – отмечается в заявлении Micron. В компании также заявили, что чипы, созданные на базе новой технологии, позволят создавать SSD-накопители емкостью 3,5 Тб размер которых будет сопоставим с размером жевательной резинки, а накопители емкостью свыше 10 Тб, созданные по той же технологии, будут размером с 2,5-дюймовый диск. В Micron подчеркнули, что эти показатели втрое превышают показатели современных носителей. Первые тестовые образцы новых чипов емкостью 32 Гб уже поставляются заказчикам, а поставки носителей емкостью 48 Гб начнутся до конца весны. Серийный выпуск новых чипов разработчики планируют наладить в конце текущего года, а на рынке они должны появится в начале 2016 года. Ссылка на источник