Samsung выпустила «самую быструю в отрасли» память для ЦОДов

Быстрее предшественника на треть Samsung Electronics анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта High Bandwith Memory 2 (HBM2), которая получила коммерческое название Flashbolt.
Flashbolt, по заявлению Samsung, стала первым в мире продуктом, разработанным в соответствии со спецификацией HBM2E, что позволило добиться «лучшей в отрасли» скорости передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт, что на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Кроме того, Flashbolt имеет вдвое большую плотность по сравнению с образцами предыдущего поколения – 16 ГБ на кристалл. Поскольку один стек HBM2E содержит восемь кристаллов, его пропускная способность может достигать 410 ГБ/с. Компания позиционирует Flashbolt как решение для центров обработки данных, искусственного интеллекта/машинного обучения, компьютерной графики и других ресурсозатратных задач. Действительно, конфигурация из четырех стеков с 4096-битным интерфейсом памяти позволит добиться весьма впечатляющих пропускной способности (порядка 1,64 ТБ/с) и емкости в 64 ГБ. Samsung анонсировала начало производства памяти с высокой пропускной способностью стандарта Flashbolt Для сравнения: ускоритель Nvidia Tesla V100 образца 2018 г., рассчитанный на использование в дата-центрах, может похвастаться наличием памяти HBM2 общей емкостью 32 ГБ и пропускной способностью 900 ГБ/с. Одна из наиболее «свежих» видеокарт компании AMD – Radeon VII – также оснащена памятью HBM2, обеспечивающей обмен данными со скоростью около 1 ТБ/с. Samsung пока не раскрывает информацию о значении рабочего напряжения Flashbolt и технологию производства кристаллов DRAM. Также неизвестно, на каких графических ускорителях или FPGA будет использоваться новая память. Об интерфейсе HBM HBM — это высокопроизводительный интерфейс оперативной памяти, разработку которого при поддержке Hynix в 2008 г. начала AMD. Первыми устройствами, оснащенными этой памятью, стали видеокарты AMD на базе чипов архитектуры Fuji, в частности R9 Fury X, R9 Fury и R9 Nano. Технология HBM схожа с конкурирующей разработкой компании Micron под названием Hybrid Memory Cube. Благодаря особенностям архитектуры HBM обеспечивает высокую пропускную способность, а также низкий расход энергии при компактных размерах устройства, хотя и отличается высокой стоимостью. В памяти HBM кристаллы DRAM расположены вертикально на крайне малом расстоянии друг от друга. Располагается эта конструкция непосредственно на чипе GPU или CPU. Средством соединения такой конструкции, напоминающей многослойный торт, с центральным или графическим процессором служит специальная кремниевая подложка или интерпозер. Несколько стеков («стопок») памяти HBM подключаются к ней вместе с процессором, и этот модуль соединяется со схемной платой.
Сравнение поколений памяти типа HBM, выпускаемой Samsung FlashboltAquaboltFlareboltМаксимально возможная емкость16 ГБ8 ГБ8 ГБ4 ГБ8 ГБ4 ГБПропускная способность на контакт3,2 Гбит/с2,4 Гбит/с2,0 Гбит/с2,0 Гбит/с1,6 Гбит/с1,6 Гбит/сЧисло кристаллов в стеке888484Рабочее напряжение?1,2 В1,35 В1,35 В1,2 В1,2 ВПропускная способность стека410 ГБ/с307,2 ГБ/с256 ГБ/с256 ГБ/с204,8 ГБ/с204,8 ГБ/с Вторая версия HBM была стандартизирована в начале 2016 г. и чуть позднее Samsung начала производство памяти по данной технологии – новинка получила имя Flarebolt. В начале 2018 г. свет http://www.cnews.ru/news/line/2018-01-11_samsung_nachala_proizvodstvo_8gigabajtnoj_pamyati Ссылка на источник