Samsung Electronics запустила массовое производство 8-гигабитных чипов DRAM-памяти для графических карт

15 янв 2015 19:00 #5657 от ICT
Компания Samsung Electronics Co., специализирующаяся на разработке и производстве чипов памяти, объявила о начале массового производства 8-гигабитных (Гб) чипов GDDR5 DRAM-памяти для графических карт на базе 20-нанометрового (нм) технологического процесса. Как сообщили CNews в Samsung Electronics, GDDR5 разработан для графических карт как персональных компьютеров, так и суперкомпьютеров, а также для встроенной памяти игровых консолей и ноутбуков. DRAM-память для дискретных графических карт отличается высокой пропускной способность, что позволяет осуществлять высококачественную обработку больших потоков графических данных, пояснили в компании. По мере роста популярности 3-мерных игр и видео в формате UHD, который должен вскоре получить широкое распространение, начал быстро расти спрос на высокопроизводительную память для графических карт. По информации Samsung Electronics, новая память GDDR5 DRAM отличается высокой пропускной способностью. «Объединив всего восемь 8Гб чипов памяти, Вы получите емкость в 8 гигабайт (ГБ), которая требуется для современных моделей игровых консолей», — отметили в компании. Скорость передачи данных (I/O) памяти составляет 8 гигабит в секунду (Гбс) на одном контакте. Это более чем в четыре раза выше производительности памяти DDR3 DRAM, которая в настоящее время широко применяется в ноутбуках, а каждый чип способен обрабатывать данные со скоростью 32 бита (I/O). Всего два новых чипа позволяют обеспечить 2 ГБ графической памяти, при этом скорость обработки графических изображений составляет до 64ГБ в секунду. Это соответствует обработке примерно 12 DVD дисков формата full-HD (объемом 5ГБ) в секунду, подчеркнули в Samsung Electronics. В целом новый 20-нанометровый 8-гигабитный чип GDDR5 от Samsung — это последняя модель линейки 8-гигабитных чипов DRAM-памяти на базе 20-нанометровой технологии для серверов, персональных компьютеров, мобильных и графических устройств. Компания продолжит наращивать объемы производства 20-нанометровых чипов DRAM-памяти с различной емкостью, включая 4Гб, 6Гб, 8Гб чипы и выше, чтобы укрепить свои позиции на рынке высокотехнологичной ИТ-продукции. Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    Samsung Electronics запустила серийное производство 256-гигабитной флэш-памяти 3D V-NAND25.32Вторник, 11 августа 2015
    Samsung наращивает производство 8 ГБ памяти DRAM HBM223.78Пятница, 21 июля 2017
    Samsung начала серийное производство памяти 4 ГБ DRAM на базе новейшего интерфейса High Bandwidth Memory22.34Вторник, 19 января 2016
    Samsung вложит 7 млрд долларов в производство чипов памяти в Китае21.16Понедельник, 28 августа 2017
    Samsung Electronics начал серийное производство памяти ePoP высокой плотности для смартфонов20.64Среда, 04 февраля 2015
    Samsung Electronics запустила производство потребительских SSD с 4-битной ячейкой19.89Пятница, 10 августа 2018
    Samsung Electronics запустила производство процессора для носимых устройств по техпроцессу 14-нм FinFET19.48Понедельник, 10 октября 2016
    Samsung запустила серийное производство 512-гигабайтной памяти eUFS 3.019.46Пятница, 01 марта 2019
    Samsung начал выпуск 10 нм памяти 16 Гбит LPDDR4X DRAM для автомобилей18.1Среда, 25 апреля 2018
    GS Group запустила массовое производство первых российских SSD17.54Вторник, 20 февраля 2018

    Мы в соц. сетях