Intel начала продажи «невероятно быстрой» памяти 3D XPoint

Intel приступила к продаже 3D XPoint Компания Intel начала отгрузку первого накопителя, в котором используется память типа 3D XPoint. Разработка продукта велась в сотрудничестве с компанией Micron Technology. Накопитель получил название Optane SSD DC P4800X. Его емкость составляет 375 ГБ, он использует шину PCIe и стандарт NVMe, который часто применяется в традиционных SSD-накопителях. Стоимость Optane SSD DC P4800X составляет $1520. Иностранные СМИ единогласно называют 3D XPoint «невероятно быстрой» памятью. Intel по каким-то причинам ведет себя очень скрытно, когда дело касается этого продукта, отмечает ресурс The Verge. Компания позволила представителям специализированных изданий протестировать новинку. В частности, такое разрешение получили AnandTech и Tom's Hardware. Но их сотрудникам пришлось тестировать Optane SSD DC P4800X с сервера Intel, им не дали возможности подсоединить реальный образец к своему компьютеру. Технические характеристики 3D XPoint позволяет совершать 550 тыс. операций ввода-вывода в секунду при осуществлении случайных операций чтения. Для случайных операций записи скорость составляет 500 тыс. операций в секунду. Продолжительность задержек при чтении/записи не превышает 10 мкс. Износ накопителя наступает не ранее, чем после перезаписи данных объемом 12,3 ПБ. Объем данных, которые можно перезаписывать на 3D XPoint ежедневно, в 30 раз превышает емкость самого накопителя. Optane SSD DC P4800X поддерживает технологию Intel Memory Drive. 3D XPoint – это своего рода компромисс между скоростью DRAM и вместительностью обычных хранилищ. В отличие от RAM новая память не теряет данные при отключении питания и обладает в 4 раза большей плотностью. Производство единицы объема 3D XPoint обходится дороже, чем NAND, которая сейчас используется в SSD-накопителях. В целом рынку NAND или RAM она пока что не угрожает, делает вывод The Verge. http://filearchive.cnews.ru/img/news/2017/04/21/intel600.jpg"> Накопитель Optane SSD DC P4800X, основанный на памяти 3D XPoint Продукт рассчитан в основном на корпоративный сектор, для максимально эффективного его использования могут потребоваться изменения в ПО. Optane SSD DC P4800X можно применяться в серверных решениях, как сверхбыстрое хранилище или кэш. В будущем Intel планирует выпуск моделей емкостью 750 ГБ и 1,5 ТБ, а также использование формата U.2. История разработки Intel и Micron Technology занялись разработкой 3D XPoint в 2012 г. На основе этой памяти Intel планирует выпускать продукты под общим названием Optane, Micron выбрала название QuantX. Из различных заявлений, которые в разное время делали партнеры, можно сделать вывод, что запись данных в ячейки памяти происходит благодаря изменению сопротивления материала. Ячейки находятся на пересечении линий адресации слов и битов. Для селектора и хранения данных в ячейках используются халькогениды. Первые чипы с использованием 3D XPoint были выпущены в 2015 г. на совместное производстве Intel и Micron в штате Юта, США. Емкость чипов составляла 128 Гбит, ячейки были расположены в два слоя по 64 Гбит. В среднем Intel собиралась увеличить скорость чтения/записи в 3-4 раза и сократить задержки в 10 раз, а энергопотребление – в три раза по сравнению с обычной флеш-памятью. Производство 3D XPoint обходится в 4-5 раз дороже NAND такого же объема и в два раза дешевле DRAM.[img]http://filearchive.cnews.ru/img/news/2017/04/21/intel600.jpg"> Накопитель Optane SSD DC P4800X, основанный на памяти 3D XPoint
Продукт рассчитан в основном на корпоративный сектор, для максимально эффективного его использования могут потребоваться изменения в ПО. Optane SSD DC P4800X можно применяться в серверных решениях, как сверхбыстрое хранилище или кэш. В будущем Intel планирует выпуск моделей емкостью 750 ГБ и 1,5 ТБ, а также использование формата U.2. История разработки Intel и Micron Technology занялись разработкой 3D XPoint в 2012 г. На основе этой памяти Intel планирует выпускать продукты под общим названием Optane, Micron выбрала название QuantX. Из различных заявлений, которые в разное время делали партнеры, можно сделать вывод, что запись данных в ячейки памяти происходит благодаря изменению сопротивления материала. Ячейки находятся на пересечении линий адресации слов и битов. Для селектора и хранения данных в ячейках используются халькогениды. Первые чипы с использованием 3D XPoint были выпущены в 2015 г. на совместное производстве Intel и Micron в штате Юта, США. Емкость чипов составляла 128 Гбит, ячейки были расположены в два слоя по 64 Гбит. В среднем Intel собиралась увеличить скорость чтения/записи в 3-4 раза и сократить задержки в 10 раз, а энергопотребление – в три раза по сравнению с обычной флеш-памятью. Производство 3D XPoint обходится в 4-5 раз дороже NAND такого же объема и в два раза дешевле DRAM.