Toshiba представила МОП-транзисторы с каналом n-типа с низким сопротивлением в открытом состоянии

Toshiba Electronics Europe представила два новых МОП-транзистора с каналом n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с низким сопротивлением в открытом состоянии. Как рассказали CNews в компании, транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU позволяют создавать высокоэффективные системы с низким энергопотреблением и подходят для применения в современных портативных устройствах с автономным питанием. Применение технологического процесса формирования канавки серии U-MOS IX-H обеспечивает низкое сопротивление МОП-транзисторов в открытом состоянии. Номинальные значения RDS(ON) составляют 6,5 мОм для SSM6K513NU на напряжение 30 В и 8,9 мОм для SSM6K514NU на напряжение 40 В. Это позволяет снизить тепловыделение в новых устройствах, связанное с потерями при включении, примерно на 40% по сравнению с существующими изделиями Toshiba, такими как SSM6K504NU. Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU предназначены для применения в устройствах переключения электропитания мощностью более 10 Вт, включая малогабаритные мобильные устройства, соответствующие требованиям стандартов USB Type-C и USB Power Delivery (PD). Оба МОП--транзистора выпускаются в компактных корпусах SOT-1220. Ссылка на источник