Toshiba представила новый МОП-транзистор на 100 В с более узким диапазоном пороговых напряжений

08 дек 2016 12:00 #49560 от ICT
Компания Toshiba Electronics Europe представила новый МОП-транзистор на 100 В и 160 А с более узким диапазоном номинального порогового напряжения (Vth) по сравнению с предыдущими устройствами. Более строгая спецификация порогового напряжения очень важна в схемах коммутации. Минимальное и максимальное значение Vth для TK160F10N1L составляет 2,5 В / 3,5 В соответственно (по сравнению с 2 В / 4 В у его предшественников), сообщили CNews в Toshiba. Новый МОП-транзистор подходит для создания автомобильных силовых коммутирующих устройств. В таких системах более жесткая спецификация Vth позволяет снизить мертвое время в схемах полумостов, H-мостов и B6-мостов. Это достигается за счет уменьшения разницы максимального Vth между МОП-транзисторами верхнего и нижнего плеча, пояснили в компании. В схемах с параллельным включением МОП-транзисторов более строгая спецификация позволяет оптимизировать характеристики синхронного переключения параллельно включенных МОП-транзисторов. В результате потери при переключении распределяются между МОП-транзисторами более равномерно. Если отдельный МОП-транзистор открывается раньше или закрывается позже, чем другие параллельные ему МОП-транзисторы, потери при переключении сосредотачиваются именно в этом МОП-транзисторе, указали в Toshiba.
Вложенный файл:

МОП-транзистор TK160F10N1L Для производства TK160F10N1L используется новейший технологический процесс изготовления полупроводниковых приборов компании — UMOS VIII-H. Технологический процесс UMOS VIII-H обеспечивает должное подавление пульсаций при переключении и помогает снизить уровень электромагнитных помех. Области применения нового МОП-транзистора включают автомобильные электродвигатели в системах с напряжением питания 48 В, преобразователи постоянного тока и переключатели нагрузки. По информации Toshiba, TK160F10N1L выпускается в корпусе TO-220SM(W), имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) 2,4 мОм и будет соответствовать требованиям сертификации автомобильных компонентов AEC-Q101. Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    Toshiba представила МОП-транзистор на 160 А для автомобильного применения18.86Пятница, 02 декабря 2016
    Toshiba представила новый портативный накопитель объемом 2 ТБ13.26Понедельник, 12 января 2015
    Toshiba представила новый 7-мм жёсткий диск ёмкостью 500 ГБ13.26Среда, 13 апреля 2016
    Toshiba представила новый высоковольтный интеллектуальный силовой модуль13.11Среда, 15 марта 2017
    Ученые создали новый крошечный транзистор: состоит из одной молекулы и дюжины атомов12.45Среда, 29 июля 2015
    Ученые создали новый крошечный транзистор: он состоит из одной молекулы и дюжины атомов12.45Среда, 29 июля 2015
    EndpointSniffer SearchInform обеспечит контроль филиалов с «узким» каналом связи9.64Среда, 24 февраля 2016
    «Фронтстеп» и «Связьстройдеталь» представили систему производственного планирования по «узким местам»9.64Понедельник, 29 мая 2017
    Toshiba представила гибридный планшет DynaPad9.57Среда, 14 октября 2015
    Toshiba представила микроконтроллеры на основе ARM Cortex-M39.57Понедельник, 18 апреля 2016

    Мы в соц. сетях