Samsung начала массовое производство системы System-on-Chip по техпроцессу 10-нм FinFET

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET. Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-структуру. Его операционная технология и дизайн были оптимизированы по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 40%, а также снижение энергопотребления на 40%, утверждают в компании. Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение — тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями. Ранее Samsung представила первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) обладает повышенной производительностью. Старт его массового производства намечен на вторую половину 2017 г. В плотном сотрудничестве с партнерами Samsung также намерена создать функциональную полупроводниковую экосистему, которая объединит средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. Для запуска архитектуры на данный момент доступны набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP. Планируется, что система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала следующего года. Массовому потребителю системы станут доступны в течение 2017 г. Your browser does not support the video tag. CNews Forum 2016: Информационные технологии завтра Ссылка на источник