Samsung выпустила первые в мире 10 нм чипы

Samsung запустила в производство 10-нм чипы Samsung Electronics приступила к массовому производству 10 нм чипов с использованием технологии FinFET. Согласно сообщению компании, это первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм. Компания сообщила, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого состоится в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, однако, скорее всего речь идет о смартфоне Galaxy S8. Ранее корейское издание Electronic Times сообщало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8. Технические особенности Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизится на 40%. Также на одной полупроводниковой плате можно будет разместить на 30% больше чипов. Компания сообщила, что в производстве 10 нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем. http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/10/17/sams700.jpg"> Samsung Electronics приступила к массовому производству чипов в топологии 10 нм В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, получившее название 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung планирует начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью под названием 10LPP. [b]Samsung внедряет FinFET[/b] Компания выпустила свой первый процессор, выполненный по технологии FinFET, в январе 2015 г. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы. Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором в 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах. В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это был первый чип с кастомизированными ядрами, [url=http://www.cnews.ru/news/line/2016-08-30_samsung_pristupila_k_massovomu_proizvodstvu_14nm]приступила[/url] к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а на днях [url=http://www.cnews.ru/news/line/2016-10-10_samsung_electronics_zapustila_proizvodstvo_protsessora]запустила[/url] производство 14-нм процессора для носимых устройств по технологии FinFET Exynos 7 Dual 7270. Your browser does not support the video tag. [url=http://forum.cnews.ru/]CNews Forum 2016: Информационные технологии завтра[/url] [url=http://www.cnews.ru/news/top/2016-10-17_samsung_vypustila_pervye_v_mire_10_nm_chipy] Ссылка на источник[/url][img]http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/10/17/sams700.jpg"> Samsung Electronics приступила к массовому производству чипов в топологии 10 нм В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, получившее название 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung планирует начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью под названием 10LPP. Samsung внедряет FinFET Компания выпустила свой первый процессор, выполненный по технологии FinFET, в январе 2015 г. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы. Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором в 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах. В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это был первый чип с кастомизированными ядрами, приступила к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а на днях запустила производство 14-нм процессора для носимых устройств по технологии FinFET Exynos 7 Dual 7270. Your browser does not support the video tag. CNews Forum 2016: Информационные технологии завтра Ссылка на источник