Toshiba представила новые диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния

Компания Toshiba Electronics Europe представила новые диоды с барьером Шоттки (SBD) на основе собственной технологии изготовления полупроводниковых устройств из карбида кремния (SiC) второго поколения. Новые диоды Шоттки обеспечивают повышение плотности тока до 50% по сравнению с устройствами первого поколения и выдерживают значительно более высокие прямые ударные токи, сообщили CNews в Toshiba. Использование устройств на основе карбида кремния помогает проектировщикам снизить тепловыделение и уменьшить габариты силовых устройств с высокоскоростным переключением. Силовые приборы на основе карбида кремния также обеспечивают стабильную работу в более широком диапазоне температур по сравнению с кремниевыми приборами, даже при высоких напряжениях и токах, подчеркнули в компании. С внедрением технологического процесса на основе карбида кремния второго поколения Toshiba удалось снизить толщину кристалла и создать диоды с барьером Шоттки с плотностью тока примерно в 1,5 (полтора) раза выше, чем у приборов первого поколения. Кроме того, диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния второго поколения будут обладать более высоким номинальным неповторяющимся прямым ударным током (IFSM).

Новые диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния от Toshiba Первыми устройствами в серии второго поколения будут приборы на 650 В с номинальным током 4 А (TRS4E65F), 6 А (TRS6E65F), 8 А (TRS8E65F) и 10 А (TRS10E65F) в корпусах TO-220 с двумя выводами и изолированных корпусах TO-220 с двумя выводами (с обозначением TRS..A65F). Эти диоды подойдут для применения в импульсных силовых преобразователях с высокоскоростным переключением, включая устройства компенсации реактивной мощности (PFC), преобразователи для солнечных панелей и источники бесперебойного питания, отметили в Toshiba. Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния также могут использоваться для оптимизации импульсных источников питания путем замены традиционных кремниевых диодов, указали в компании. Ссылка на источник