IBM придумала, как сделать транзисторы размером 1,8 нм

02 окт 2015 12:40 #25199 от ICT
Топология 1,8 нм
Корпорация IBM решила одну из проблем микроэлектронной промышленности, проложив путь к микросхемам с топологией 1,8 нм.
Проблема миниатюризации
По мере уменьшения топологии перед инженерами встала проблема роста электрического сопротивления в месте присоединения электрического контакта и затвора транзистора. В частности, сопротивление выросло настолько сильно, что целесообразность в выпуске изделий с достигнутой технологической нормой исчезла.
Транзисторы из нанотрубок
Чтобы решить проблему, в IBM, во-первых, предложили изготавливать транзисторы из углеродных нанотрубок, во-вторых, придумали, как снизить сопротивление в месте контакта нанотрубки с металлическим контактом.
«Благодаря преодолению проблемы с ростом электрического сопротивления в месте контакта мы смогли уменьшить величину узла до 1,8 нм, что на четыре поколения опережает текущие разработки», — заявили в пресс-службе IBM.
По словам исследователей, достигнутая ими ширина контакта составляет 40 атомов. Они полагают, что примерно к 2018 г. смогут уменьшить эту ширину до 28 атомов.
http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2015/10/02/02chip_master675.jpg"> [b]IBM проложила на четыре поколения вперед миниатюризацию микросхем[/b] [b]Рост производительности[/b] Решение проблемы с ростом сопротивления — это лишь один из аспектов работы. Как утверждают в IBM, благодаря решению проблемы теперь производители смогут использовать в конструкции транзисторов новый материал — нанотрубки. Новый материал позволит увеличить скорость работы микросхем, помимо того, что это будет следствием уменьшения собственно технологической нормы. [b]Борьба с нанотрубками [/b] Нанотрубки — капризный материал, работать с которым достаточно хорошо ученые пока не научились. Однако в IBM утверждают, что и эту проблему они решили. Инженеры корпорации смогли получать из нанотрубок, как правило, имеющих хаотичную структуру, четкие полосы, размещая их на подложке из кремния. [b]Чипы с топологией 7 нм[/b] Летом 2015 г. IBM [url=http://www.cnews.ru/news/top/2015-10-02_ibm_pridumala_sposob_prodleniya_zakona_mura] Ссылка на источник[/url][img]http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2015/10/02/02chip_master675.jpg">
IBM проложила на четыре поколения вперед миниатюризацию микросхем
Рост производительности
Решение проблемы с ростом сопротивления — это лишь один из аспектов работы. Как утверждают в IBM, благодаря решению проблемы теперь производители смогут использовать в конструкции транзисторов новый материал — нанотрубки. Новый материал позволит увеличить скорость работы микросхем, помимо того, что это будет следствием уменьшения собственно технологической нормы.
Борьба с нанотрубками
Нанотрубки — капризный материал, работать с которым достаточно хорошо ученые пока не научились. Однако в IBM утверждают, что и эту проблему они решили. Инженеры корпорации смогли получать из нанотрубок, как правило, имеющих хаотичную структуру, четкие полосы, размещая их на подложке из кремния.
Чипы с топологией 7 нм
Летом 2015 г. IBM Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    IBM придумала память нового типа с накопителем размером в один атом14.81Среда, 21 ноября 2018
    Microsoft придумала, как сделать «зависания» «Проводника» менее раздражающими14.3Вторник, 02 апреля 2019
    Toshiba оснастила двусторонним охлаждением МОП-транзисторы на 60 В8.64Понедельник, 27 февраля 2017
    Toshiba представила МОП-транзисторы с каналом n-типа на 100 В8.64Вторник, 11 апреля 2017
    Toshiba представила 60 В МОП-транзисторы с низким выходным зарядом8.55Четверг, 10 ноября 2016
    «Росэлектроника» выводит на рынок транзисторы для сетей связи 5G8.55Четверг, 21 декабря 2017
    Toshiba представила промышленные 100 В МОП-транзисторы с каналом n-типа8.55Четверг, 22 февраля 2018
    Toshiba выпустила новые МОП-транзисторы для автомобильных устройств8.55Понедельник, 14 мая 2018
    Toshiba представила МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 В для автомобильной промышленности8.46Четверг, 14 апреля 2016
    «Ангстрем» разработал силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования8.46Четверг, 26 января 2017

    Мы в соц. сетях