Snapdragon 835 появится в Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6

Недавно компании Samsung и Qualcomm сообщили о совместной разработке чипсета Snapdragon 835, в основе которого используется 10-нм техпроцесс FinFET. Процессор содержит восемь вычислительных ядер, отвечающих за производительность и энергоэффективность, на какой частоте они работают — не указывается. Сообщается, что новинка окажется на 27% мощнее и на 40% экономнее по сравнению с 14-нм предшественниками. Также ожидается значительное улучшение функции быстрой зарядки. Согласно предыдущим слухам, Snapdragon 835 должен дебютировать в первом квартале 2017 года в Samsung Galaxy S8. Теперь Кевин Вонг, аналитик из фирмы IHS, рассказал на своей странице в Weibo, что составить компанию южнокорейскому флагману может Xiaomi Mi6. Оба устройства ориентировочно поступят в продажу в марте.
Иллюстративный материал Gizmochina.com © СОТОВИК Ссылка на источник