Мобильные процессоры станут быстрее и энергоэффективнее

Samsung сообщила, что к концу 2016 года будет запущено серийное производство микросхем, выполненных в рамках 10-нм технологического процесса. Это означает, что полупроводниковые изделия увеличат производительность работы, снизят энергопотребление и заодно уменьшат собственные размеры. 10-нм чипы продолжат обращаться к полевым транзисторам, собранным по такой же технологии FinFET, которой придерживается Samsung Exynos 7420, первый мобильный процессор, вставший на 14-нм рельсы. Под его началом трудятся флагманские смартфоны Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge, а результаты испытаний бенчмарком AnTuTu свидетельствуют, что он получился самым быстрым мобильным вычислительным кристаллом среди всех таковых в Android-коммуникаторах. Важен переход от от плоскостного дизайна транзисторов на чипе к пространственному их построению FinFET. В связи с нынешними крохотными размерами транзисторов появляются проблемы утечки энергии вследствие того, что затвор в планарной архитектуре не способен осуществлять полный контроль над каналом исток-сток. В рамках подхода FinFET затвор фактически обернут вокруг канала, а не просто лежит поверху, соответственно ведется более жесткий электростатический контроль. Тем временем и TSMC, крупнейший конкурент Samsung в этой области, в июне приступит к тестовому выпуску аналогичных 10-нм FinFET-чипов, надеясь поставить их на поток серийной сборки в 2016 году. Впрочем, тайваньский вендор запаздывает: если в феврале Samsung начала предлагать массовые 14-нм микросхемы, то TSMC вывела только 16-нм продукцию. Ссылка на источник