Завод «Ангстрем-Т» освоил технологию производства Trench MOSFET

«Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент «Ангстрем-Т» является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа. Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания. В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это дает возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать массу и габариты. Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее $6 млрд в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт. «Ангстрем-Т» - ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130-90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. «Ангстрем–Т» предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий. Ссылка на источник