«Ангстрем» заключил трехстороннее соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов

31 окт 2018 10:40 #73235 от ICT
«Ангстрем» заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC). Соглашение предусматривает постановку на «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Ее использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии. Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным. В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора «Ангстрема» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании «Тайжоу бийонд технолоджи» Чжань Лэниан (Zhang Lenian). На «Ангстреме» будет внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг». Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи», берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении пяти лет, а затем может быть продлено. Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для «Ангстрема» и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC. «Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2 тыс. наименований. Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    Ученые из МФТИ сделали важный шаг на пути к созданию памяти нового типа17.67Понедельник, 11 апреля 2016
    «Ангстрем» разработал 95 типов новых силовых транзисторов15.64Понедельник, 26 февраля 2018
    Подписано трехстороннее соглашение по развитию телекоммуникаций Ставрополья14.48Понедельник, 06 июля 2015
    Трехстороннее соглашение, заключённое на площадке форума "Открытые инновации", направлено на создание совместной отраслевой программы по 13.61Вторник, 22 октября 2019
    Трехстороннее соглашение, заключённое на площадке форума "Открытые инновации", направлено на создание совместной отраслевой программы по 13.61Вторник, 22 октября 2019
    Трехстороннее соглашение, заключённое на площадке форума "Открытые инновации", направлено на создание совместной отраслевой программы по 13.61Вторник, 22 октября 2019
    Трехстороннее соглашение, заключённое на площадке форума "Открытые инновации", направлено на создание совместной отраслевой программы по 13.61Вторник, 22 октября 2019
    АО "ТВЭЛ" завершило сделку по созданию предприятия по производству телеком-оборудования12.76Четверг, 20 мая 2021
    «МегаФон» заключил соглашение с «Россетями»12.68Пятница, 17 июня 2016
    «Энергопром» заключил соглашение о сотрудничестве с «1С»12.68Четверг, 21 декабря 2017

    Мы в соц. сетях