В «Росэлектронике» освоили выпуск мощных диодов ИК-излучения

«Росэлектроника» (госкорпорация «Ростех») объявила о начале производства мощных излучающих диодов на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия (GaAs/AlAs). Как рассказали CNews в компании, полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения. Диоды 3Л148А1 разработаны томским НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП) и выпускаются с применением меза-планарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения - 870±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора. В перспективе предприятие планирует расширить линейку выпускаемых диодов изделиями с длиной волны излучения 905±15 нм. Кроме того, НИИПП наладил выпуск специальных полупроводниковых источников света. В частности, освоено производство единичных индикаторов в корпусе размером 3,5 х 2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборы для замены ламп накаливания типа СМ, МН и др. в оборудовании наземной, авиационной и морской техники. Полупроводниковые приборы будут представлены на Международной выставке «ЭкспоЭлектроника», которая состоится в МВЦ «Крокус Экспо» (65-66 км МКАД) 25-27 апреля. Объединенный стенд холдинга «Росэлектроника» - павильон 1, зал 3, А405. Ссылка на источник