К серийному выпуску готова память в 20 раз быстрее флэш

Соглашение о сотрудничестве Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), называющая себя одним из ведущих в мире производителей полупроводниковой продукции (пятое место в 2014 г., согласно Gartner), первой среди других заключила соглашение с американской Crossbar о лицензировании ее резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory — RRAM). Согласно совместному заявлению, SMIC будет выпускать на базе 40-нм техпроцесса блоки RRAM под заказ для их последующей интеграции заказчиками в микроконтроллеры и «системы на чипе». Как уверяют партнеры, заказчики легко с этим справятся. Дело в том, что ячейки RRAM интегрируются в стандартные CMOS-процессы между двумя металлическими полосками стандартной CMOS-подложки. Это позволяет помещать их на тот же кристалл, на котором находятся вычислительные ядра процессоров, аналоговые и RF-компоненты.
Партнеры рассчитывают, что RRAM найдет применение в устройствах интернета вещей, носимых и планшетных компьютерах, разнообразной потребительской, промышленной и автомобильной электронике. Компании не уточнили, удалось ли им найти первых заказчиков. http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg"> [b]Память RRAM от Crossbar под микроскопом[/b] [b]История памяти RRAM[/b] Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли [b]Леон Чуа[/b] (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). [b]Память Crossbar[/b] В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она [url=http://www.cnews.ru/news/top/2016-03-16_kitajtsy_nachnut_vypusk_mificheskih_memristorov] Ссылка на источник[/url][img]http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg">
Память RRAM от Crossbar под микроскопом История памяти RRAM Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). Память Crossbar
В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она Ссылка на источник