Toshiba представила 256-гигабитные чипы памяти BiCS Flash

Компания Toshiba представила новое поколение чипов BiCS Flash на основе трехмерных ячеек памяти. Как сообщили CNews в Toshiba, ячейки флэш-памяти уложены на кремниевой основе вертикально, что позволяет значительно увеличить плотность по сравнению с плоскостной памятью NAND. 256-гигабитные устройства используют технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015 г. Чипы BiCS Flash создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, позволяющего увеличить емкость памяти, повысить надежность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash, утверждают в Toshiba. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров. Toshiba анонсировала BiCS Flash в 2007 г. и с тех пор продолжала оптимизировать технологию для массового производства. По мнению японского производителя, в следующем году рынок флэш-памяти значительно возрастет, поэтому компания активно выступает за переход на BiCS Flash. Продуктовая линейка новых чипов включает наиболее емкие модели для самых требовательных прикладных областей, таких как SSD.
256-гигабитные чипы памяти BiCS Flash Как отмечается, Toshiba готовится начать массовое производство BiCS Flash на новой фабрике Fab2 объекта Yokkaichi Operations. Планируется, что постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флэш-памяти, завершится в первой половине 2016 г. Ссылка на источник