Samsung выпустит смартфоны с 512 ГБ памяти

06 дек 2017 12:40 #64126 от ICT
Модули eUFS будут использоваться в флагманских устройствах. Они используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Samsung отмечает, что они не только повышают плотность ранее используемых eUFS на 256 ГБ, но и обеспечивают двойную емкость при сохранении занимаемого пространства. Скорость чтения и записи теперь составляют 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно. Для произвольных операций новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Иллюстративный материал gizmochina.com © СОТОВИК Ссылка на источник


  • Сообщений: 103416

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Мы в соц. сетях