Snapdragon 820 перегреваться не будет

Qualcomm, наконец-то решившаяся развеять все досужие слухи, заявила, что грядущий мобильный чипсет Snapdragon 820 удовлетворяет и даже превышает поставленные инженерами требования к производительности и контролю над температурой. Кроме того, американский вендор официально подтвердил, что Snapdragon 820, располагающий четырьмя 2,2-ГГц вычислительными ядрами Kryo, опирается на 14-нм проектные FinFET-нормы. Это означает существенный рост показателей скорости и энергоэффективности в сравнении с 20-нм Snapdragon 810. Тем временем в сообществе перешептываются, мол, Samsung вовсю борется с вопросами перегрева Snapdragon 820 в составе Galaxy S7. При самом худшем раскладе корейцам придется снабжать кристалл отводящими тепло трубками — по аналогии с тем, как это сделала Sony с Snapdragon 810 в тройке Xperia Z5. Есть мнение, что производительность Snapdragon 820 вдвое выше, чем у Snapdragon 810, и на 50% по отношению к Exynos 7420, сегодня самому быстрому мобильному процессору. Однако Сеул не дремлет, намечая уже в декабре поставить на широкую ногу выпуск Exynos 8890, который потенциально Ссылка на источник