: - Trench MOSFET

" Ангстрем-Т " сообщает об освоении технологии производства силовых транзисторов Trench MOSFET и заявляет, что никто кроме нее в России не может выпускать транзисторы по данной технологии. Напомню, что MOSFET расшифровывается как metal-oxide-semiconductor field-effect. Эта технология позволяет выпускать так называемые полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП - транзисторы).

Такие полупроводниковые устройства относят к разряду силовых, и применяют в электронной технике, где нужно управлять не сигналами, а потоком электроэнергии, например, если речь идет об аккумуляторах или электромоторах. Используют такие транзисторы и в блоках питания. В отличие от "классических" планарных транзисторов, Trench MOSFET могут работать с большими напряжениями и плотностями тока, позволяют создавать электронную технику с более высокими показателями энергоэффективности, меньшей массой и габаритами. Объем мирового рынка MOSFET транзисторов оценивают числом порядка $6 млрд в год и обещают этому сегменту рост в ближайшее десятилетие. Залог тому - развитие персонального и другого электрического транспорта, а также робототехники. Будут ли изделия Ангстрем-Т конкурентоспособными на фоне зарубежных предложений? Посмотрим, пока что предприятие не рассказывало о конкретных приборах, выпущенных по данной технологии. "Ангстрем-Т" балансирует на грани банкротства, акции предприятия недавно консолидировал у себя ВЭБ. Свои сложности вносят и санкции, поскольку химические вещества высокой степени очистки, а также расходники, пластины и фотошаблоны приходится закупать за границей. Тем не менее повседневная деятельность предприятия не только не остановилась, но и, напротив, активизировалась. В 2018 году компания позиционировала себя как foundry, заключила контракты с китайским заказчиком, выполнен проект Multi Project Wafer - всего этого конечно мало для того, чтобы быть прибыльным бизнесом. + За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro - подпишитесь прямо сейчас теги: микроэлектроника полупроводники Ангстрем-Т Trench MOSFET технологии процессы + + Ссылка на источник