Samsung начал производство накопителей на основе серийных модулей V-NAND


Samsung Electronics объявила о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми

256-гигабитными V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1,4 гигабит в секунду, что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.

Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1,2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд, что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено - до 50 микросекунд.

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоев в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных. Такая инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.

Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.

«Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти, - сказал Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. - Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения».

Учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.

Калькулятор расчета пеноблоков смотрите на этом ресурсе
Все о каркасном доме можно найти здесь http://stroidom-shop.ru
Как снять комнату в коммунальной квартире смотрите тут comintour.net

Мы соц. сетях

View kondrashov’s profile on slideshare
Т Е Л Е Г Р А М
 

Hi-Tech Лентач

Наши обзоры

Различные обзоры рынков

  • Рынок ноутбуков растет в разы быстрее, чем годом ранее +

    Компания «М.Видео» и «Эльдорадо», входящие в Группу Сафмар Михаила Гуцериева, Подробнее
  • Аудитория интернета в России выросла на 4% +

    Мобильная аудитория продолжает активно расти, на сегодняшний день количество пользователей Подробнее
  • Жизнь без интернета, опрос ВЦИОМ +

    Данные опроса комментирует руководитель практики информационной политики и коммуникационных технологий Подробнее
  • 1
  • 2
  • 3

Рынок в графиках

×
Читай избранные материалы без рекламы на каналах:
×
Все новости раз в день у Вас на почте:

Введи Ваш E-Mail