: Wolfspeed MOSFET SiC

12 июнь 2019 10:40 #82405 от ICT
ICT создал тему: : Wolfspeed MOSFET SiC
Компания Wolfspeed представила дискретное изделие, выполненное по планарной технологии MOSFET на карбиде кремния SiC. Ключ отличается низким сопротивлением открытого канала Rds(on) в 0.016 Ом при температуре 25 C и уровне блокирующего напряжения в 1200 В. Ток может достигать уровня в 115 А. Использование подобных устройств позволяет отказаться от классических кремниевых трехуровневых топологий за счет использования более простых двухуровневых. Добавление отдельного вывода сигнала истока (отвода Кельвина в корпусе TO-247-4) позволяет еще более сократить потери переключения, вплоть до 30%, если сравнивать с использованием традиционного трехвыводного корпуса ТО-247. Такой подход позволяет повысить эффективность переключения, избежав влияния паразитной индуктивности на выводе истока и связанных с ней повышенных потерь при увеличении частоты переключения. Краткие характеристики: Обладаюшее минимальным сопротивлением в режиме "включен" и низким зарядом затвора, изделие C3M0016120K предназначено для трехфазных топологий PFC без мостов, а также для использования в инверторах и зарядных устройствах.

По ссылке приведены рекомендуемые дизайны, в которых применяют приборы на основе карбида кремния . Новинку, в частности, можно применять в системах фотоэлектрических преобразователей энергии Солнца, в системах хранения энергии, в зарядных устройствах для электротранспорта, в блоках UPS, для управления электромоторами, в источниках питания с коммутируемым режимом.

Подробнее об изделии: wolfspeed.com + За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro теги: микроэлектроника полупроводники SiC карбид кремния силовая микроэлектроника дискретные полупроводники полупроводниковые приборы Ссылка на источник


  • Сообщений: 75474

  • Пол: Не указан
  • Дата рождения: Неизвестно
  • Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

    Похожие статьи

    ТемаРелевантностьДата
    : - Trench MOSFET10Пятница, 25 января 2019
    Завод «Ангстрем-Т» освоил технологию производства Trench MOSFET9.47Пятница, 25 января 2019

    Мы в соц. сетях